Mae amddiffyn systemau electronig rhag ymyrraeth electromagnetig (EMI) wedi dod yn bwnc llosg.Mae datblygiadau technolegol mewn safonau 5G, codi tâl di-wifr am electroneg symudol, integreiddio antena i'r siasi, a chyflwyno System mewn Pecyn (SiP) yn gyrru'r angen am well cysgodi ac ynysu EMI mewn pecynnau cydrannau a chymwysiadau modiwlaidd mwy.Ar gyfer cysgodi cydffurfiol, mae deunyddiau cysgodi EMI ar gyfer arwynebau allanol y pecyn yn cael eu hadneuo'n bennaf gan ddefnyddio prosesau dyddodi anwedd corfforol (PVD) gan ddefnyddio technoleg rhag-becynnu ar gyfer cymwysiadau pecynnu mewnol.Fodd bynnag, mae problemau graddfa a chost technoleg chwistrellu, yn ogystal â datblygiadau mewn nwyddau traul, yn arwain at ystyried dulliau chwistrellu amgen ar gyfer gwarchod EMI.
Bydd yr awduron yn trafod datblygiad prosesau cotio chwistrellu ar gyfer cymhwyso deunyddiau cysgodi EMI i arwynebau allanol cydrannau unigol ar stribedi a phecynnau SiP mwy.Gan ddefnyddio deunyddiau ac offer sydd newydd eu datblygu a'u gwella ar gyfer y diwydiant, mae proses wedi'i dangos sy'n darparu sylw unffurf ar becynnau llai na 10 micron o drwch a gorchudd unffurf o amgylch corneli pecyn a waliau ochr pecynnau.cymhareb trwch wal ochr 1:1.Mae ymchwil bellach wedi dangos y gellir lleihau'r gost gweithgynhyrchu o ddefnyddio cysgodi EMI ar becynnau cydrannau trwy gynyddu'r gyfradd chwistrellu a gosod haenau yn ddetholus i feysydd penodol o'r pecyn.Yn ogystal, mae cost cyfalaf isel yr offer a'r amser sefydlu byrrach ar gyfer offer chwistrellu o'i gymharu ag offer chwistrellu yn gwella'r gallu i gynyddu gallu cynhyrchu.
Wrth becynnu electroneg symudol, mae rhai gweithgynhyrchwyr modiwlau SiP yn wynebu'r broblem o ynysu cydrannau y tu mewn i'r SiP oddi wrth ei gilydd ac o'r tu allan i amddiffyn rhag ymyrraeth electromagnetig.Caiff rhigolau eu torri o amgylch y cydrannau mewnol a rhoddir past dargludol ar y rhigolau i greu cawell Faraday llai y tu mewn i'r cas.Wrth i ddyluniad y ffos gulhau, mae angen rheoli cyfaint a chywirdeb lleoliad y deunydd sy'n llenwi'r ffos.Mae'r cynhyrchion ffrwydro datblygedig diweddaraf yn rheoli cyfaint ac mae lled y llif aer cul yn sicrhau llenwi ffosydd yn gywir.Yn y cam olaf, mae topiau'r ffosydd hyn wedi'u llenwi â phast yn cael eu gludo gyda'i gilydd trwy gymhwyso cotio cysgodi EMI allanol.Mae Gorchudd Chwistrellu yn datrys y problemau sy'n gysylltiedig â defnyddio offer sputtering ac yn manteisio ar well deunyddiau EMI ac offer dyddodi, gan ganiatáu i becynnau SiP gael eu cynhyrchu gan ddefnyddio dulliau pecynnu mewnol effeithlon.
Yn y blynyddoedd diwethaf, mae gwarchod EMI wedi dod yn bryder mawr.Gyda mabwysiadu technoleg diwifr 5G yn y brif ffrwd yn raddol a'r cyfleoedd yn y dyfodol y bydd 5G yn eu cyflwyno i'r Rhyngrwyd Pethau (IoT) a chyfathrebu sy'n hanfodol i genhadaeth, mae'r angen i amddiffyn cydrannau electronig a chynulliadau yn effeithiol rhag ymyrraeth electromagnetig wedi cynyddu.hanfodol.Gyda'r safon ddiwifr 5G sydd ar ddod, bydd amlder signal yn y bandiau tonnau 600 MHz i 6 GHz a milimetrau yn dod yn fwy cyffredin a phwerus wrth i'r dechnoleg gael ei mabwysiadu.Mae rhai achosion a gweithrediadau defnydd arfaethedig yn cynnwys cwareli ffenestri ar gyfer adeiladau swyddfa neu gludiant cyhoeddus i helpu i gadw cyfathrebu dros bellteroedd byrrach.
Oherwydd bod amleddau 5G yn cael anhawster i dreiddio i waliau a gwrthrychau caled eraill, mae gweithrediadau arfaethedig eraill yn cynnwys ailadroddwyr mewn cartrefi ac adeiladau swyddfa i ddarparu sylw digonol.Bydd yr holl gamau hyn yn arwain at gynnydd yn nifer yr achosion o signalau yn y bandiau amledd 5G a risg uwch o ddod i gysylltiad ag ymyrraeth electromagnetig yn y bandiau amledd hyn a'u harmoneg.
Yn ffodus, gellir cysgodi EMI trwy osod gorchudd metel denau, dargludol ar gydrannau allanol a dyfeisiau System-mewn-Pecyn (SiP) (Ffigur 1).Yn y gorffennol, mae cysgodi EMI wedi'i gymhwyso trwy osod caniau metel wedi'u stampio o amgylch grwpiau o gydrannau, neu drwy roi tâp cysgodi ar gydrannau unigol.Fodd bynnag, wrth i becynnau a dyfeisiau terfynol barhau i gael eu bychanu, mae'r dull gwarchod hwn yn dod yn annerbyniol oherwydd cyfyngiadau maint a'r hyblygrwydd i drin y cysyniadau pecyn amrywiol, nad ydynt yn orthogonol sy'n cael eu defnyddio'n gynyddol mewn electroneg symudol a gwisgadwy.
Yn yr un modd, mae rhai dyluniadau pecyn blaenllaw yn symud tuag at gwmpasu rhai meysydd penodol o'r pecyn ar gyfer cysgodi EMI yn ddetholus, yn hytrach na gorchuddio tu allan cyfan y pecyn gyda phecyn llawn.Yn ogystal â gwarchod EMI allanol, mae dyfeisiau SiP newydd yn gofyn am gysgodi adeiledig ychwanegol wedi'i ymgorffori'n uniongyrchol yn y pecyn i ynysu'r gwahanol gydrannau oddi wrth ei gilydd yn yr un pecyn.
Y prif ddull ar gyfer creu cysgodi EMI ar becynnau cydrannau wedi'u mowldio neu ddyfeisiau SiP wedi'u mowldio yw chwistrellu haenau lluosog o fetel ar yr wyneb.Trwy sputtering, gellir dyddodi haenau unffurf tenau iawn o fetel pur neu aloion metel ar arwynebau pecyn gyda thrwch o 1 i 7 µm.Oherwydd bod y broses sputtering yn gallu dyddodi metelau ar y lefel angstrom, mae priodweddau trydanol ei haenau hyd yma wedi bod yn effeithiol ar gyfer cymwysiadau cysgodi nodweddiadol.
Fodd bynnag, wrth i'r angen am amddiffyniad gynyddu, mae gan sputtering anfanteision cynhenid sylweddol sy'n ei atal rhag cael ei ddefnyddio fel dull graddadwy ar gyfer gweithgynhyrchwyr a datblygwyr.Mae cost cyfalaf cychwynnol offer chwistrellu yn uchel iawn, yn yr ystod miliynau o ddoleri.Oherwydd y broses aml-siambr, mae angen ardal fawr ar y llinell offer chwistrellu ac mae'n cynyddu ymhellach yr angen am eiddo tiriog ychwanegol gyda system drosglwyddo gwbl integredig.Gall amodau siambr sbutter nodweddiadol gyrraedd yr ystod 400 ° C wrth i'r cyffro plasma boeri'r deunydd o'r targed sbutter i'r swbstrad;felly, mae angen gosodiad gosod "plât oer" i oeri'r swbstrad i leihau'r tymereddau a brofir.Yn ystod y broses adneuo, mae'r metel yn cael ei adneuo ar swbstrad penodol, ond, fel rheol, mae trwch cotio waliau ochr fertigol pecyn 3D fel arfer hyd at 60% o'i gymharu â thrwch yr haen wyneb uchaf.
Yn olaf, oherwydd y ffaith bod sputtering yn broses dyddodiad llinell-golwg, ni all gronynnau metel gael eu dethol neu eu dyddodi o dan strwythurau crogi a thopolegau, a all arwain at golled sylweddol o ddeunydd yn ychwanegol at ei gronni y tu mewn i waliau'r siambr;felly, mae angen llawer o waith cynnal a chadw.Os bydd ardaloedd penodol o swbstrad penodol yn cael eu gadael yn agored neu os nad oes angen cysgodi EMI, rhaid i'r swbstrad gael ei guddio ymlaen llaw hefyd.
Mae amddiffyn systemau electronig rhag ymyrraeth electromagnetig (EMI) wedi dod yn bwnc llosg.Mae datblygiadau technolegol mewn safonau 5G, codi tâl di-wifr am electroneg symudol, integreiddio antena i'r siasi, a chyflwyno System mewn Pecyn (SiP) yn gyrru'r angen am well cysgodi ac ynysu EMI mewn pecynnau cydrannau a chymwysiadau modiwlaidd mwy.Ar gyfer cysgodi cydffurfiol, mae deunyddiau cysgodi EMI ar gyfer arwynebau allanol y pecyn yn cael eu hadneuo'n bennaf gan ddefnyddio prosesau dyddodi anwedd corfforol (PVD) gan ddefnyddio technoleg rhag-becynnu ar gyfer cymwysiadau pecynnu mewnol.Fodd bynnag, mae problemau graddfa a chost technoleg chwistrellu, yn ogystal â datblygiadau mewn nwyddau traul, yn arwain at ystyried dulliau chwistrellu amgen ar gyfer gwarchod EMI.
Bydd yr awduron yn trafod datblygiad prosesau cotio chwistrellu ar gyfer cymhwyso deunyddiau cysgodi EMI i arwynebau allanol cydrannau unigol ar stribedi a phecynnau SiP mwy.Gan ddefnyddio deunyddiau ac offer sydd newydd eu datblygu a'u gwella ar gyfer y diwydiant, mae proses wedi'i dangos sy'n darparu sylw unffurf ar becynnau llai na 10 micron o drwch a gorchudd unffurf o amgylch corneli pecyn a waliau ochr pecynnau.cymhareb trwch wal ochr 1:1.Mae ymchwil bellach wedi dangos y gellir lleihau'r gost gweithgynhyrchu o ddefnyddio cysgodi EMI ar becynnau cydrannau trwy gynyddu'r gyfradd chwistrellu a gosod haenau yn ddetholus i feysydd penodol o'r pecyn.Yn ogystal, mae cost cyfalaf isel yr offer a'r amser sefydlu byrrach ar gyfer offer chwistrellu o'i gymharu ag offer chwistrellu yn gwella'r gallu i gynyddu gallu cynhyrchu.
Wrth becynnu electroneg symudol, mae rhai gweithgynhyrchwyr modiwlau SiP yn wynebu'r broblem o ynysu cydrannau y tu mewn i'r SiP oddi wrth ei gilydd ac o'r tu allan i amddiffyn rhag ymyrraeth electromagnetig.Mae rhigolau'n cael eu torri o amgylch y cydrannau mewnol a rhoddir past dargludol ar y rhigolau i greu cawell Faraday llai y tu mewn i'r cas.Wrth i ddyluniad y ffos gulhau, mae angen rheoli cyfaint a chywirdeb lleoliad y deunydd sy'n llenwi'r ffos.Mae'r cynhyrchion ffrwydro datblygedig diweddaraf yn rheoli cyfaint a lled llif aer cul yn sicrhau llenwi ffosydd yn gywir.Yn y cam olaf, mae topiau'r ffosydd hyn wedi'u llenwi â phast yn cael eu gludo gyda'i gilydd trwy gymhwyso cotio cysgodi EMI allanol.Mae Gorchudd Chwistrellu yn datrys y problemau sy'n gysylltiedig â defnyddio offer sputtering ac yn manteisio ar well deunyddiau EMI ac offer dyddodi, gan ganiatáu i becynnau SiP gael eu cynhyrchu gan ddefnyddio dulliau pecynnu mewnol effeithlon.
Yn y blynyddoedd diwethaf, mae gwarchod EMI wedi dod yn bryder mawr.Gyda mabwysiadu technoleg diwifr 5G yn y brif ffrwd yn raddol a'r cyfleoedd yn y dyfodol y bydd 5G yn eu cyflwyno i'r Rhyngrwyd Pethau (IoT) a chyfathrebu sy'n hanfodol i genhadaeth, mae'r angen i amddiffyn cydrannau electronig a chynulliadau yn effeithiol rhag ymyrraeth electromagnetig wedi cynyddu.hanfodol.Gyda'r safon ddiwifr 5G sydd ar ddod, bydd amlder signal yn y bandiau tonnau 600 MHz i 6 GHz a milimetrau yn dod yn fwy cyffredin a phwerus wrth i'r dechnoleg gael ei mabwysiadu.Mae rhai achosion a gweithrediadau defnydd arfaethedig yn cynnwys cwareli ffenestri ar gyfer adeiladau swyddfa neu gludiant cyhoeddus i helpu i gadw cyfathrebu dros bellteroedd byrrach.
Oherwydd bod amleddau 5G yn cael anhawster i dreiddio i waliau a gwrthrychau caled eraill, mae gweithrediadau arfaethedig eraill yn cynnwys ailadroddwyr mewn cartrefi ac adeiladau swyddfa i ddarparu sylw digonol.Bydd yr holl gamau hyn yn arwain at gynnydd yn nifer yr achosion o signalau yn y bandiau amledd 5G a risg uwch o ddod i gysylltiad ag ymyrraeth electromagnetig yn y bandiau amledd hyn a'u harmoneg.
Yn ffodus, gellir cysgodi EMI trwy osod gorchudd metel denau, dargludol ar gydrannau allanol a dyfeisiau System-mewn-Pecyn (SiP) (Ffigur 1).Yn y gorffennol, mae cysgodi EMI wedi'i gymhwyso trwy osod caniau metel wedi'u stampio o amgylch grwpiau o gydrannau, neu drwy roi tâp cysgodi ar rai cydrannau.Fodd bynnag, wrth i becynnau a dyfeisiau terfynol barhau i gael eu bychanu, mae'r dull gwarchod hwn yn dod yn annerbyniol oherwydd cyfyngiadau maint a'r hyblygrwydd i drin yr amrywiaeth o gysyniadau pecyn nad ydynt yn orthogonol a geir fwyfwy mewn electroneg symudol a gwisgadwy.
Yn yr un modd, mae rhai dyluniadau pecyn blaenllaw yn symud tuag at gwmpasu rhai meysydd penodol o'r pecyn ar gyfer cysgodi EMI yn ddetholus, yn hytrach na gorchuddio tu allan cyfan y pecyn gyda phecyn llawn.Yn ogystal â gwarchod EMI allanol, mae dyfeisiau SiP newydd yn gofyn am gysgodi adeiledig ychwanegol wedi'i ymgorffori'n uniongyrchol yn y pecyn i ynysu'r gwahanol gydrannau oddi wrth ei gilydd yn yr un pecyn.
Y prif ddull ar gyfer creu cysgodi EMI ar becynnau cydrannau wedi'u mowldio neu ddyfeisiau SiP wedi'u mowldio yw chwistrellu haenau lluosog o fetel ar yr wyneb.Trwy sputtering, gellir dyddodi haenau unffurf tenau iawn o fetel pur neu aloion metel ar arwynebau pecyn gyda thrwch o 1 i 7 µm.Oherwydd bod y broses sputtering yn gallu dyddodi metelau ar y lefel angstrom, mae priodweddau trydanol ei haenau hyd yma wedi bod yn effeithiol ar gyfer cymwysiadau cysgodi nodweddiadol.
Fodd bynnag, wrth i'r angen am amddiffyniad gynyddu, mae gan sputtering anfanteision cynhenid sylweddol sy'n ei atal rhag cael ei ddefnyddio fel dull graddadwy ar gyfer gweithgynhyrchwyr a datblygwyr.Mae cost cyfalaf cychwynnol offer chwistrellu yn uchel iawn, yn yr ystod miliynau o ddoleri.Oherwydd y broses aml-siambr, mae angen ardal fawr ar y llinell offer chwistrellu ac mae'n cynyddu ymhellach yr angen am eiddo tiriog ychwanegol gyda system drosglwyddo gwbl integredig.Gall amodau siambr sbutter nodweddiadol gyrraedd yr ystod 400 ° C wrth i'r cyffro plasma boeri'r deunydd o'r targed sbutter i'r swbstrad;felly, mae angen gosodiad gosod "plât oer" i oeri'r swbstrad i leihau'r tymereddau a brofir.Yn ystod y broses adneuo, mae'r metel yn cael ei adneuo ar swbstrad penodol, ond, fel rheol, mae trwch cotio waliau ochr fertigol pecyn 3D fel arfer hyd at 60% o'i gymharu â thrwch yr haen wyneb uchaf.
Yn olaf, oherwydd y ffaith bod sputtering yn broses dyddodiad llinell-golwg, ni all gronynnau metel gael eu dethol neu eu dyddodi o dan strwythurau crogi a thopolegau, a all arwain at golled sylweddol o ddeunydd yn ychwanegol at ei gronni y tu mewn i waliau'r siambr;felly, mae angen llawer o waith cynnal a chadw.Os bydd ardaloedd penodol o swbstrad penodol yn cael eu gadael yn agored neu os nad oes angen cysgodi EMI, rhaid i'r swbstrad gael ei guddio ymlaen llaw hefyd.
Papur gwyn: Wrth symud o gynhyrchu amrywiaeth bach i fawr, mae optimeiddio'r trwygyrch o sypiau lluosog o wahanol gynhyrchion yn hanfodol i gynyddu cynhyrchiant cynhyrchu i'r eithaf.Defnydd Cyffredinol o Linell… Gweld y Papur Gwyn
Amser post: Ebrill-19-2023