Ar hyn o bryd ystyrir ffotoneg sy'n seiliedig ar silicon fel llwyfan ffotoneg y genhedlaeth nesaf ar gyfer cyfathrebiadau gwreiddio.Fodd bynnag, mae datblygu modulatyddion optegol cryno a phŵer isel yn parhau i fod yn her.Yma rydym yn adrodd am effaith electro-optegol enfawr yn ffynhonnau cwantwm cypledig Ge/SiGe.Mae'r effaith addawol hon yn seiliedig ar effaith anomalaidd cwantwm Stark oherwydd cyfyngu ar wahân electronau a thyllau mewn ffynhonnau cwantwm Ge/SiGe cypledig.Gellir defnyddio'r ffenomen hon i wella perfformiad modulators golau yn sylweddol o'i gymharu â'r dulliau safonol a ddatblygwyd hyd yn hyn mewn ffotoneg silicon.Rydym wedi mesur newidiadau yn y mynegai plygiant hyd at 2.3 × 10-3 ar foltedd gogwydd o 1.5 V gydag effeithlonrwydd modiwleiddio cyfatebol VπLπ o 0.046 Vcm.Mae'r arddangosiad hwn yn paratoi'r ffordd ar gyfer datblygu modulatyddion cyfnod cyflym effeithlon yn seiliedig ar systemau deunydd Ge/SiGe.
Amser postio: Mehefin-06-2023