Mae cotio sputtering Magnetron yn ddull cotio anwedd corfforol newydd, o'i gymharu â'r dull cotio anweddiad cynharach, mae ei fanteision mewn sawl agwedd yn eithaf rhyfeddol.Fel technoleg aeddfed, mae sputtering magnetron wedi'i gymhwyso mewn sawl maes.
Egwyddor sputtering Magnetron:
Ychwanegir maes magnetig orthogonal a maes trydan rhwng y polyn targed sputtered (catod) a'r anod, ac mae'r nwy anadweithiol gofynnol (nwy Ar fel arfer) yn cael ei lenwi yn y siambr gwactod uchel.Mae'r magnet parhaol yn ffurfio maes magnetig 250-350 medr ar wyneb y deunydd targed, ac mae'r maes electromagnetig orthogonal yn cynnwys y maes trydan foltedd uchel.O dan effaith maes trydan, mae ionization nwy Ar yn ïonau ac electronau positif, yn targedu ac mae ganddo bwysau negyddol penodol, o'r targed o'r polyn gan effaith maes magnetig a'r cynnydd tebygolrwydd ionization nwy gweithio, yn ffurfio plasma dwysedd uchel ger y catod, Ar ion o dan y weithred o rym lorentz, cyflymu i hedfan i'r wyneb targed, peledu wyneb targed ar gyflymder uchel, Mae'r atomau sputtered ar y targed yn dilyn egwyddor trosi momentwm a hedfan i ffwrdd o'r wyneb targed gyda cinetig uchel egni i'r ffilm dyddodiad swbstrad.
Yn gyffredinol, rhennir sputtering Magnetron yn ddau fath: sputtering DC a sputtering RF.Mae egwyddor offer sputtering DC yn syml, ac mae'r gyfradd yn gyflym wrth sputtering metel.Mae'r defnydd o RF sputtering yn fwy helaeth, yn ychwanegol at sputtering deunyddiau dargludol, ond hefyd sputtering deunyddiau nad ydynt yn dargludol, ond hefyd sputtering adweithiol paratoi ocsidau, nitridau a carbides a deunyddiau cyfansawdd eraill.Os bydd amlder RF yn cynyddu, mae'n dod yn sbuttering plasma microdon.Ar hyn o bryd, defnyddir sbuttering plasma microdon math cyseiniant cyclotron electron (ECR) yn gyffredin.
Deunydd targed cotio sputtering Magnetron:
Deunydd targed sputtering metel, deunydd cotio sputtering aloi cotio, deunydd cotio sputtering ceramig, deunyddiau targed sputtering ceramig boride, deunydd targed sputtering ceramig carbid, deunydd targed sputtering ceramig fflworid, deunyddiau targed sputtering ceramig nitride, targed ceramig ocsid, deunydd targed sputtering ceramig selenid, deunyddiau targed sputtering cerameg silicid, deunydd targed sputtering ceramig sulfide, targed sputtering ceramig Telluride, targed ceramig arall, targed cromiwm-doped silicon ocsid ceramig (CR-SiO), targed indium phosphide (InP), targed arsenide plwm (PbAs), indium arsenide targed (InAs).
Amser postio: Awst-03-2022